微影技術(shù)簡(jiǎn)介-晶圓制造檢測(cè)顯微鏡
Lithography(微影)一字源自希臘文，其中l(wèi)itho-意指石頭，而graphia-
是寫的意思，原意為石雕術(shù)。在當(dāng)今半導(dǎo)體積體電路(IC, Integrated Circuit)
制造技術(shù)上，微影技術(shù)定義為使用光束將光罩上的圖案經(jīng)透鏡組件轉(zhuǎn)移
至晶圓表面暫時(shí)涂布的光阻；光罩的透光區(qū)圖像會(huì)使光阻照光后發(fā)生化
學(xué)變化，再經(jīng)顯影之后將圖案轉(zhuǎn)移至晶圓上的過程。
半導(dǎo)體制程技術(shù)中，這些層層相疊以及復(fù)雜的積體電路設(shè)計(jì)圖案都必須經(jīng)由微影技術(shù)層層地
精準(zhǔn)定義，才能進(jìn)行后續(xù)蝕刻、離子植布等制程，因此微影被視為半導(dǎo)體制造中的核心關(guān)鍵技術(shù)。
IC 制程的技術(shù)藍(lán)圖大致依循著Moore 所提出的定理：在一定面積的
晶圓面上電晶體的數(shù)量每隔兩年會(huì)符合經(jīng)濟(jì)效益地增加兩倍。
1 為達(dá)到符合元件密度增加的目的，則積體電路中層層架構(gòu)的各維尺寸必須以約每
兩年 0.7 倍地縮小。根據(jù)Rayleigh 方程式，
刻畫架構(gòu)圖像的微影制程解析度(Resolution)，指的是可刻畫出最小關(guān)鍵尺寸
現(xiàn)今的微影技術(shù)上，半導(dǎo)體廠DUV(Deep Ultraviolet, 此處指的是248
nm KrF 及193 nm ArF 光源)微影制程上所使用的光阻為化學(xué)放大型光阻，
主要用來吸收光源的能量基團(tuán)為光酸產(chǎn)生劑(PAG, Photon Acid Generator)，
光酸產(chǎn)生劑經(jīng)照光后吸收光子在成像區(qū)便會(huì)產(chǎn)生光酸，
再經(jīng)照后烘烤的步驟進(jìn)一步地進(jìn)行去保護(hù)基的觸媒式地化學(xué)放大型反應(yīng)機(jī)制。光阻經(jīng)去
保護(hù)基后的羧酸基化，進(jìn)而可被顯影去除織，鋼的熱處理，鋁及鋁合金，陶瓷材料，聚合體與復(fù)合材料等介紹。
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